锗单晶位错的产生与消除

一、引言锗单晶中的位错对材料的电学性质和器件的参数影响很大。位错使品格畸变,改变了能带位置,影响载流子复合过程。刃位错的悬空键产生受主能级相当于一个半径为3.4×10~(-8)厘米大小的电子陷阱,降低了少数载流子寿命。位错加速锗中杂质的扩散。不均匀位错分布会使器件参数分散,位错堆集会影响P—N结的平整,引起器件局部击穿。