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| 利用MEVVA源的离子混合形成氮化钛薄膜 | |
| 引用本文： | 田修波,王晓峰,刘爱国,汤宝寅.利用MEVVA源的离子混合形成氮化钛薄膜[J].机械工程师,1999(12):10-11. |
| 作者姓名： | 田修波 王晓峰 刘爱国 汤宝寅 |
| 作者单位： | 哈尔滨工业大学现代焊接生产技术国家重点实验室,黑龙江,哈尔滨,150001 |
| 摘 要： | 研究采用了ＭＥＶＶＡ源等离子体浸没离子注入的方法，利用钛的等离子体的沉积与自身离子的注入，形成ＩＢＡＤ效应。在氮气气氛环境下，在ＡＩＳＩ３０４不锈钢表面获得了氮化钛膜。ＡＥＳ结果表明，由于钛的高电荷态和重离子效应使得钛与基体获得了较厚的原子混合层。 |
| 关 键 词： | 氮化钛 MEVVA源 等离子体浸没离子注入IBAD |
| 文章编号： | 1002-2333(1999)12-0010-02 |
| 修稿时间： | 1999-09-02 |
MEVVA source makes titanium nitride file by ionic mixing |
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