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硅衬底RF集成电路中螺旋电感的建模和分析
引用本文:姜祁峰,李征帆.硅衬底RF集成电路中螺旋电感的建模和分析[J].电子学报,2002,30(8):1219-1221.
作者姓名:姜祁峰  李征帆
作者单位:上海交通大学电子工程系,上海 200030
基金项目:上海-应用材料研究与发展基金 (No .0 0 0 8)
摘    要:对硅衬底RF集成电路中的螺旋电感进行电磁场建模,考虑了衬底损耗效应,并通过电路分析和网络分析技术得到了二端口简化电感模型.该模型在特定的截止频率以下可提供可靠的电路系统仿真.利用该模型分析了硅衬底的损耗对螺旋电感品质因素(Q)的影响.

关 键 词:螺旋电感  RF集成电路  部分元等效电路  品质因素  
文章编号:0372-2112(2002)08-1219-03
收稿时间:2001-10-15

Modeling and Analysis of Spiral Inductors for Si-Based RF IC's
JIANG Qi-feng,LI Zheng-fan.Modeling and Analysis of Spiral Inductors for Si-Based RF IC''''s[J].Acta Electronica Sinica,2002,30(8):1219-1221.
Authors:JIANG Qi-feng  LI Zheng-fan
Affiliation:Department of Electronic Engineering,Shanghai Jiaotong University,Shanghai 200030,China
Abstract:Silicon radio-frequency (RF) integrated circuit spiral inductors are modeled and analyzed.The important effects of substrate loss are included in the analysis.Circuit analysis and network analysis techniques are used to extract a two-port compact inductor model,which can be easily used in circuit simulation below certain frequency.The effect of substrate loss upon Q -factor is analyzed using this compact model.
Keywords:spiral inductors  RFIC's  PEEC  Q -factor
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