| 溅射功率对AlN/ZnO薄膜结构形貌的影响 |
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| 引用本文： | 付伍君,孟祥钦,朱博,张遥,刘浩瀚,杨成韬. 溅射功率对AlN/ZnO薄膜结构形貌的影响[J]. 压电与声光, 2013, 35(3): 416-418 |
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| 作者姓名： | 付伍君 孟祥钦 朱博 张遥 刘浩瀚 杨成韬 |
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| 作者单位： | 电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室，四川 成都 610054 |
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| 摘 要： | 采用直流反应磁控溅射法以ZnO为缓冲层在Si衬底上制备了AlN/ZnO薄膜。利用台阶仪、X线衍射(XRD)仪和原子力显微镜(AFM)对不同溅射功率下制备的AlN/ZnO薄膜的厚度、结构及表面形貌进行测试表征。结果表明,不同溅射功率下生长的AlN薄膜都沿(002)择优生长，且随着功率的增大，薄膜的沉积速率增加，晶粒长大，AlN薄膜的(002)取向性变好。同时还利用扫描电子显微镜(SEM)对在优化工艺下制得AlN/ZnO薄膜断面的形貌进行表征，结果显示AlN薄膜呈柱状生长。
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| 关 键 词： | AlN/ZnO薄膜；溅射功率；择优生长；结构；表面形貌 |
Effect of Sputtering Power on Structural Properties and Morphology of AlN/ZnO Thin Film |
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| FU Wujun,MENG Xiangqin,ZHU Bo,ZHANG Yao,LIU Haohan and YANG Chengtao. Effect of Sputtering Power on Structural Properties and Morphology of AlN/ZnO Thin Film[J]. Piezoelectrics & Acoustooptics, 2013, 35(3): 416-418 |
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| Authors: | FU Wujun MENG Xiangqin ZHU Bo ZHANG Yao LIU Haohan YANG Chengtao |
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| Affiliation: | State Key Lab. of Electronic Thin Films and Integrated Devices,University of Electronic Science and Technology of China,Chengdu 610054,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | AlN/ZnO film sputtering power preferred growth structure surface morphology |
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