| 不同退火温度对4H SiC 金半接触的影响 |
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| 引用本文： | 孙子茭,钟志亲,王姝娅,戴丽萍,张国俊.不同退火温度对4H SiC 金半接触的影响[J].压电与声光,2013,35(3):419-422. |
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| 作者姓名： | 孙子茭 钟志亲 王姝娅 戴丽萍 张国俊 |
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| 作者单位： | 电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室，四川 成都 610054 |
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| 基金项目： | 中央高校基本科研业务费专项基金资助项目(ZYGX2011J031) |
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| 摘 要： | 采用高真空电子束蒸发法制作了基于4H SiC外延材料的肖特基二极管，其中欧姆接触材料为Ti/Ni，肖特基接触材料为Ni。常温下，电流-电压(I-V)测试表明Ni/4H SiC肖特基二极管具有良好的整流特性，热电子发射是其主要输运机理。对比分析不同快速退火温度下器件的I-V特性，实验结果表明875 ℃退火温度下欧姆接触特性最好，400 ℃退火温度下器件肖特基接触I-V特性最好，理想因子为1.447，肖特基势垒高度为1.029 eV。
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| 关 键 词： | SiC 欧姆接触 快速热退火 肖特基势垒 |
Effect of Different Annealing Temperature on 4H SiC Schottky Diodes |
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| SUN Zijiao,ZHONG Zhiqin,WANG Shuy,DAI Liping and ZHANG Guojun.Effect of Different Annealing Temperature on 4H SiC Schottky Diodes[J].Piezoelectrics & Acoustooptics,2013,35(3):419-422. |
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| Authors: | SUN Zijiao ZHONG Zhiqin WANG Shuy DAI Liping and ZHANG Guojun |
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| Affiliation: | State Key Lab. of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Silicon carbide ohmic contact rapid thermal annealing Schottky barrier |
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