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| 离子注入多晶硅的电子束退火 | |
| 引用本文： | 张国炳,王继红,卢殿通,陶敦仁.离子注入多晶硅的电子束退火[J].微细加工技术,1983(2). |
| 作者姓名： | 张国炳 王继红 卢殿通 陶敦仁 |
| 作者单位： | 北大计算机系 (张国炳，王继红)，北师大低能所 (卢殿通)，长沙半导体工艺设备研究所(陶敦仁) |
| 摘 要： | 本文介绍利用扫描电子束对离子注入掺杂磷的多晶硅进行退火、研究退火条件对多晶硅载流子激活率,迁移率和结构的影响,并与热退火进行了对比。实验结果表明电子束退火的多晶硅载流子激活率比热退火有明显提高,薄层电阻率也有所降低。 |
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