| 掺杂硅纳米线的光电特性 |
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| 引用本文： | 唐元洪,裴立宅. 掺杂硅纳米线的光电特性[J]. 中国有色金属学报, 2004, 14(Z1): 398-403 |
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| 作者姓名： | 唐元洪 裴立宅 |
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| 作者单位： | 湖南大学,材料科学与工程学院,长沙,410082 |
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| 基金项目： | 香港研究项目委员会及加拿大国家科学与工程研究委员会(NSERC)资助项目，美国国家科学基金 |
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| 摘 要： | 采用激光烧蚀法制备了磷掺杂硅纳米线和硼掺杂硅纳米链,并运用透射电子显微镜(TEM)、近边X射线吸收精细结构光谱(NEXAFS)、X射线光电子能谱(XPS)及场发射(FE)测量等对其进行了研究.结果表明:硅纳米线包覆在二氧化硅层中及其核心由磷掺杂的晶体硅构成,磷不仅存在于硅纳米线的核心内,也存在于二氧化硅与硅核心的相界面上;硼掺杂硅纳米链的外部直径约为15 nm,由直径11nm的晶核和2 nm的无定形氧化物外层构成的晶格所组成,其粒间距为4 nm,硅纳米粒子链的阀值场强为6 V/μm,优于未掺杂的硅纳米线的阀值场强(9 V/μm).X射线光吸收谱可以补充提供常规电流-电压测量得不到的信息,并提示掺杂分布的细节.
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| 关 键 词： | 硅纳米线 硅纳米链 掺杂 光电特性 |
| 文章编号： | 1004-0609(2004)S1-0398-06 |
Optoelectronic characteristics of doped Si nanowires |
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| TANG Yuan-hong,PEI Li-zhai. Optoelectronic characteristics of doped Si nanowires[J]. The Chinese Journal of Nonferrous Metals, 2004, 14(Z1): 398-403 |
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| Authors: | TANG Yuan-hong PEI Li-zhai |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | silicon nanowire silicon nanoparticle chain doping optoelectronic characteristic |
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