采用气体等离子体制作掩模 |
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引用本文: | 西冈久作,王万里.采用气体等离子体制作掩模[J].微纳电子技术,1977(6). |
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作者姓名: | 西冈久作 王万里 |
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摘 要: | 一、引言最近,气体等离子体被用于大规模集成电路制片工艺中,其实用性已有许多报导,另外,在照相制版工艺使用的光掩模的制作上也采用气体等离子体,并研究了把工艺的一部分干式化。本报告发表了在使用气体等离子体制作掩模工艺中(尤其是关于图形尺寸的精度和图形缺陷发生率、其曝光条件以及腐蚀条件的依赖关系)的研究结果。
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