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| 连续波工作高功率应变单量子阱半导体激光器 | |
| 引用本文： | 辛国锋,陈国鹰,花吉珍,康志龙,赵卫青,安振峰,冯荣珠,牛健.连续波工作高功率应变单量子阱半导体激光器[J].固体电子学研究与进展,2003,23(4):476-479. |
| 作者姓名： | 辛国锋 陈国鹰 花吉珍 康志龙 赵卫青 安振峰 冯荣珠 牛健 |
| 作者单位： | 1. 河北工业大学信息工程学院微电子所,天津,300130;中国电子科技集团公司第十三研究所光电专业部,石家庄,050051 2. 河北工业大学信息工程学院微电子所,天津,300130 3. 中国电子科技集团公司第十三研究所光电专业部,石家庄,050051 |
| 基金项目： | 河北省科技攻关重点项目(编号0 3 2 13 540 D)，河北省自然科学基金项目(编号 60 3 0 80) |
| 摘 要： | 利用金属有机化合物气相淀积 ( MOCVD)技术成功生长了 In Ga As/Ga As/Al Ga As分别限制应变单量子阱材料 ,用该材料制成的单管半导体激光器在室温下连续波输出功率高达 2 .36 W,中心激射波长为 94 4nm,斜率效率高达 0 .96 W/A,阈值电流密度为 177.8A/cm2。该波长的半导体激光器是 Yb:YAG固体激光器的理想泵浦源。 |
| 关 键 词： | 金属有机化合物气相淀积 应变单量子阱 连续波 半导体激光器 |
| 文章编号： | 1000-3819(2003)04-476-04 |
| 修稿时间： | 2003年3月27日 |
High Output Power CW Strained Single Quantum Well Semiconductor Laser |
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| XIN Guofeng , CHEN Guoying HUA Jizhen KAN G Zhilong ZHAO Weiqing AN Zhenfeng FENG Rongzhu NIU Jian.High Output Power CW Strained Single Quantum Well Semiconductor Laser[J].Research & Progress of Solid State Electronics,2003,23(4):476-479. | |
| Authors: | XIN Guofeng CHEN Guoying HUA Jizhen KAN G Zhilong ZHAO Weiqing AN Zhenfeng FENG Rongzhu NIU Jian |
| Affiliation: | XIN Guofeng 1,2 CHEN Guoying 1 HUA Jizhen 2 KAN G Zhilong 1 ZHAO Weiqing 1 AN Zhenfeng 2 FENG Rongzhu 2 NIU Jian 1 |
| Abstract: | Materials of InGaAs/GaAs/AlGaAs separate confinement heterostruc ture strained single quantum well were grown successfully by the technology of M etal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD). The semiconductor laser was made using this materials, its output power reaches 2.36 W(room temperature, continu ous wave operation),peak wavelength is 944 nm, the slop efficiency is as high as 0.96W/A, the threshold current density is 177.8A/cm 2. the semiconductor las er of such wavelength is the ideal pumping source of Yb:YAG solid state lasers. |
| Keywords: | metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) strained single quantum well continuous wave semiconductor laser |
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