| ICP-AES法测定金属硅中杂质元素 |
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| 引用本文： | 成勇,肖军,宁燕平,胡金荣. ICP-AES法测定金属硅中杂质元素[J]. 冶金分析, 2005, 25(3): 1-1 |
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| 作者姓名： | 成勇 肖军 宁燕平 胡金荣 |
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| 作者单位： | 攀枝花钢铁研究院,攀枝花钢铁研究院,攀枝花钢铁研究院,攀枝花钢铁研究院 四川攀枝花617000,四川攀枝花617000,四川攀枝花617000,四川攀枝花617000 |
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| 摘 要： | 以HF挥发除去基体后,电感耦合等离子体光谱法(ICP-AES)对金属硅中Fe,Al,Ti,Ca,Cu,As,Pb等23个可能共存的杂质元素同时定量测定,并用差减法计算出基体元素硅的含量,只需一次测定即能实现金属硅样品的全分析。试验了共存元素间的干扰影响情况,优选了元素分析谱线和仪器工作参数,运用同步背景校正法、K系数法来消除共存元素间干扰和试液雾化进样的物理化学因素影响。方法简便快捷、易于操作掌握,测定回收率、精密度、检出限均取得了满意结果。
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| 关 键 词： | ICP-AES 金属硅 杂质元素 全分析 |
| 文章编号： | 1000-7571(2005)03-0076-04 |
Determination of impurity elements in silicon metal by ICP-AES |
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| CHENG Yong,XIAO Jun,NING Yan-ping,HU Jin-rong. Determination of impurity elements in silicon metal by ICP-AES[J]. Metallurgical Analysis, 2005, 25(3): 1-1 |
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| Authors: | CHENG Yong XIAO Jun NING Yan-ping HU Jin-rong |
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