半导体微细加工技术——加工方法及潜在的可能性

目前的半导体器件是采用在硅片衬底上制作微细尺寸图形的方法制造的。图形的最小尺寸现在已达到3μm左右,但是今后的要求是1～2μm甚至更小的亚微米。这样的微细尺寸加工,靠以往的技术改良是困难的,必须研究一种新的技术。本文所介绍的正是作为此种技术的电子束、远紫外线、X射线的各种曝光技术,并概要说明了所用的新感光材料(抗蚀剂)和干刻蚀技术,同时简单地叙述了未来的动向。