| 磁控溅射法制备用作铜互连阻挡层的钛-铝薄膜 |
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| 引用本文： | 邢金柱,刘保亭,霍骥川,周阳,李晓红,李丽,张湘义,彭英才,王侠.磁控溅射法制备用作铜互连阻挡层的钛-铝薄膜[J].机械工程材料,2009,33(5). |
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| 作者姓名： | 邢金柱 刘保亭 霍骥川 周阳 李晓红 李丽 张湘义 彭英才 王侠 |
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| 作者单位： | 邢金柱,彭英才,王侠,XING Jin-zhu,PENG Ying-cai,WANG Xia(河北大学电信学院,河北保定,071002);刘保亭,霍骥川,周阳,李晓红,李丽,张湘义,LIU Bao-ting,HUO Ji-chuan,ZHOU Yang,LI Xiao-hong,LI Li,ZHANG Xiang-yi(河北大学物理科学与技术学院铁性材料与器件研究所,河北保定,071002)
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展规划(973计划)，国家自然科学基金，河北省科学基金，教育部资助项目，河北大学青年基金 |
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| 摘 要： | 采用射频磁控溅射法在Si(100)基片上首先沉积了厚度40 nm的非晶钛-铝薄膜,然后在其上又原位生长了厚度100 nm的铜薄膜,制备了铜膜/钛-铝膜/硅试样;对试样分别在400～800℃内进行真空退火处理,用原子力显微镜、X射线衍射仪、四探针测试仪对试样的表面形貌、结晶状态及方块电阻进行了分析.结果表明:当退火温度低于750℃时,试样表面平整,表面粗糙度和方块电阻均较小且基本不随退火温度的升高而改变,此时,非晶钛-铝薄膜能够起到阻挡铜向硅中扩散的作用;当退火温度在800℃时,试样的表面粗糙度和方块电阻急剧增大,此时,非晶钛-铝薄膜已经不能起到阻挡层的作用.
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| 关 键 词： | 铜互连 阻挡层 钛-铝薄膜 射频磁控溅射 |
Ti-Al Film Used as Diffusion Barrier for Copper Interconnection Deposited by RF Magnetron Sputtering |
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| XING Jin-zhu,LIU Bao-ting,HUO Ji-chuan,ZHOU Yang,LI Xiao-hong,LI Li,ZHANG Xiang-yi,PENG Ying-cai,WANG Xia.Ti-Al Film Used as Diffusion Barrier for Copper Interconnection Deposited by RF Magnetron Sputtering[J].Materials For Mechanical Engineering,2009,33(5). |
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| Authors: | XING Jin-zhu LIU Bao-ting HUO Ji-chuan ZHOU Yang LI Xiao-hong LI Li ZHANG Xiang-yi PENG Ying-cai WANG Xia |
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| Affiliation: | XING Jin-zhu1,LIU Bao-ting2,HUO Ji-chuan2,ZHOU Yang2,LI Xiao-hong2,LI Li2,ZHANG Xiang-yi2,PENG Ying-cai1,WANG Xia1(1,2.Hebei University,Baoding 071002,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | copper interconnection diffusion barrier Ti-Al film RF magnetron sputtering |
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