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DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
MN41256型256k DRAM
作者姓名:
小岛诚
竹中信之
孙伯祥
作者单位:
松下电子工业,松下电子工业
摘 要:
半导体存贮器集成度的提高是惊人的,随着每位单价的下降,市场对集成度提高的要求愈来愈强烈。作为1981年开始大量生产的64k位动态RAM(64kDRAM)的下一代产品的256kDRAM现已达到
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