| 势垒效应对SiGe HBT基区渡越时间的影响 |
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| 引用本文： | 李蕊. 势垒效应对SiGe HBT基区渡越时间的影响[J]. 重庆理工大学学报(自然科学版), 2007, 21(8): 133-135 |
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| 作者姓名： | 李蕊 |
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| 作者单位： | 重庆工学院数理学院 重庆400050 |
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| 基金项目： | 重庆工学院校科研和教改项目，2005ZD01， |
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| 摘 要： | 在已有的SiGe HBT基区渡越时间模型的基础上,考虑了势垒效应对其产生的影响以及与基区Ge分布的关系.结果表明:大电流密度下的势垒效应会增大基区渡越时间,基区Ge的不均匀分布并不能完全起到减小基区渡越时间的作用.
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| 关 键 词： | SiGeHBT 基区渡越时间 势垒效应 |
| 文章编号： | 1671-0924(2007)08-0133-03 |
| 修稿时间： | 2007-06-15 |
Effect of Heterojunction Barrier Effects on Base Transit Time of SiGe HBT |
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| LI Rui. Effect of Heterojunction Barrier Effects on Base Transit Time of SiGe HBT[J]. Journal of Chongqing University of Technology(Natural Science), 2007, 21(8): 133-135 |
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| Authors: | LI Rui |
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| Abstract: | Based on the known model of the base transit time of SiGe HBT, the effect of heterojunction barrier effects(HBE) on the base transit time is considered and calculated.The results show HBE induced by high current density can increase the base transit time,and the uneven Ge profile cannot completely decrease the base transit time. |
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| Keywords: | SiGe HBT base transit time HBE |
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