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| Si(100)衬底上部分弛豫外延薄层Ge膜的应变研究 | |
| 作者姓名： | 裴成文 秦捷 刘晓晗 胡冬枝 张翔九 黄大鸣 蒋最敏 |
| 作者单位： | [1]复旦大学应用表面物理国家重点实验室 [2]中国科学院高能物理研究所 |
| 摘 要： | 利用表面活化剂Ｓｂ在Ｓｉ（１００）衬底上分子束外延生长了不同厚度的Ｇｅ膜，同步辐射Ｘ射线衍射测量表明Ｇｅ膜为部分应变膜，其应变随厚度增大而减小．相应的喇曼光谱中的Ｇｅ－Ｇｅ振动峰位随应变不同而变化，与应变的关系和文献上认为的线性关系在较大应变处有很大的偏离，本文对此进行了分析和讨论． |
| 关 键 词： | 硅 外延生长 锗 实验 |
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