| 快速热处理中退火温度对Sol-gel法制备PZT铁电薄膜性能的影响 |
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| 引用本文： | 胡绍璐,赵海臣,李林华,任丽,邓朝勇.快速热处理中退火温度对Sol-gel法制备PZT铁电薄膜性能的影响[J].信息通信,2014(3):16-18. |
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| 作者姓名： | 胡绍璐 赵海臣 李林华 任丽 邓朝勇 |
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| 作者单位： | 贵州大学电子信息学;贵州省电子功能复合材料特色重点实验室; |
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| 基金项目： | 贵州省科学研究计划(2012-3005,2010-4005,2010-2134,2011-2016);贵阳基础研究基金(2012101-2-4);贵州大学研究生创新基金(2013021) |
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| 摘 要： | 利用Sol-Gel法在Pt/TiO2/SiO2/Si基底上用快速热处理(Rapid Thermal Processing,RTP)退火工艺制备出了致密的PZT铁电薄膜,主要研究了在退火时间为500s时退火温度对薄膜的结晶结构、表面形貌和铁电性能的影响。通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和铁电测试仪对制备的薄膜进行了性能表征。研究结果表明,当退火温度为6000C时,PZT薄膜具有(111)择优取向,表面致密无裂纹,且具有较好的铁电性能(其饱和极化值约为30 C/cm2,剩余极化约为20 C/cm2,矫顽场约为150KV/cm)。在100KV/cm电场下,电流密度J在10-1A/cm2数量级,表明所制的PZT纳米薄膜质量较好,能承受较高的场强以达到饱和极化状态而不被击穿。
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| 关 键 词： | 退火温度 快速热处理(RTP) Sol-Gel法 铁电性能 |
Effect of annealing temperature on the properties of PZT ferroelectric thin films in the process of RTP with Sol-gel method |
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