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| GIC—4117／HC1.7MV Tandetron上的MeV离子注入系统 | |
| 引用本文： | 缴桂跃,王文勋.GIC—4117／HC1.7MV Tandetron上的MeV离子注入系统[J].原子能科学技术,1995,29(6):494-499. |
| 作者姓名： | 缴桂跃 王文勋 |
| 摘 要： | 利用通用离子公司（ＧＩＣ）的４１１７型１．７ＭＶ Ｔａｎｄｅｔｒｏｎ离子束分析设备进行ＭｅＶ级离子注入。所注入的离子能量范围由５００ｋｅＶ到１０ＭｅＶ，离子的质量在２４０ｕ以下，某些元素的负离子束流强度在１５０μＡ以上。双向机械扫描技术可将离子均匀地注入样片。 |
| 关 键 词： | MeV级 离子注入 串列加速器 离子源 负离子源 |
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