|
|||||
|
|
| MMI型GaAs 1×N和N×N集成光学开关的研制 | |
| 引用本文： | 马慧莲,杨建义,江晓清,王明华.MMI型GaAs 1×N和N×N集成光学开关的研制[J].半导体光电,2000,21(6):384-388. |
| 作者姓名： | 马慧莲 杨建义 江晓清 王明华 |
| 作者单位： | 浙江大学信息与电子工程系，浙江杭州310027 |
| 摘 要： | 设计了一种能直接与单模光纤阵列相耦合的多模干涉 (MMI)型光开关。给出了MMI型光开关各组成部分的工作原理 ,并用导模传输分析法 ,模拟了 1× 4MMI型光开关的四种不同的开关状态 ,在此基础上完成了 1× 4和 4× 4MMI型光开关的设计。最后根据所确定的器件结构参数 ,用有限差分光束传输法分析了器件结构参数对器件性能的影响。 |
| 关 键 词： | 集成光学 光开关 多模干涉 电光效应 砷化镓 |
| 文章编号： | 1001-5868(2000)06-0384-05 |
| 修稿时间： | 2000年1月18日 |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ | |