| X波段宽带单片低噪声放大器 |
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| 引用本文： | 李芹,王志功,熊明珍,夏春晓.X波段宽带单片低噪声放大器[J].固体电子学研究与进展,2005,25(2):211-214. |
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| 作者姓名： | 李芹 王志功 熊明珍 夏春晓 |
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| 作者单位： | 东南大学射频与光电集成电路研究所,南京,210096;东南大学射频与光电集成电路研究所,南京,210096;东南大学射频与光电集成电路研究所,南京,210096;东南大学射频与光电集成电路研究所,南京,210096 |
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| 摘 要： | 从获取放大器的等噪声系数圆最大半径的角度来进行电路设计,设计了工作于X波段9～14GHz的宽带低噪声单片放大器,采用法国OMMIC公司的0.2μmGaAsPHEMT工艺(fT=60GHz)研制了芯片。在片测试结果为在9～14GHz,噪声系数<2.5dB,最小噪声系数在10.4GHz为2.0dB,功率增益在所需频段9～14GHz大于21dB,输入回波损耗<-10dB,输出回波损耗<-6dB。在11.5GHz,输出1dB压缩点功率为19dBm。
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| 关 键 词： | 低噪声放大器 负反馈 噪声系数 |
| 文章编号： | 1000-3819(2005)02-211-04 |
| 修稿时间： | 2004年10月28 |
Design of X-band Broadband Low Noise Amplifier MMIC |
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| LI Qin,WANG Zhigong,XIONG Mingzheng,Xia Chunxiao.Design of X-band Broadband Low Noise Amplifier MMIC[J].Research & Progress of Solid State Electronics,2005,25(2):211-214. |
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| Authors: | LI Qin WANG Zhigong XIONG Mingzheng Xia Chunxiao |
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| Abstract: | A broadband,low noise amplifier MMIC is designed,fabricated and tested.This MMIC uses OMMIC′s 0.2 μm gate PHEMT technology (f_T=60 GHz).It provides more than 21 dB power gain and less than 2.5 dB noise figure at the frequencies from 9～14 GHz.The least NF is 2.0 dB at 10.4 GHz.The output 1 dB gain compression power is +19 dBm at 11.5 GHz. |
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| Keywords: | low-noise amplifier negative feedback noise figure |
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