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| 砷化镓功率场效应晶体管的X波段性能 | |
| 引用本文： | H.M.Macksey,管丕恺.砷化镓功率场效应晶体管的X波段性能[J].微纳电子技术,1976(8). |
| 作者姓名： | H.M.Macksey 管丕恺 |
| 摘 要： | 本文介绍 X 波段砷化镓功率场效应晶体管(FET)的测量结果。这些器件是用简单的平面工艺制作的。多个单元并联的器件在9千兆赫下,输出功率大于1瓦,增益大于4分贝。4分贝增益下,最大输出功率在9千兆赫下为1.78瓦,在8千兆赫下为2.5瓦。8千兆赫下,器件功率附加效率为46%。 |
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