| 基于GMR及TMR效应的磁随机存储器的最新应用开发 |
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| 引用本文： | 孙以材,刘新福,宋青林. 基于GMR及TMR效应的磁随机存储器的最新应用开发[J]. 半导体技术, 2001, 26(6): 46-50,64 |
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| 作者姓名： | 孙以材 刘新福 宋青林 |
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| 作者单位： | 河北工业大学，天津 300130 |
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| 摘 要： | 介绍了巨磁电阻（GMR）及隧道磁电阻（TMR）效应，讨论了计算机磁随机存储器（MRAM）的最新应用开发。
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| 关 键 词： | 磁随机存储器 巨磁电阻 隧道磁电阻 |
| 文章编号： | 1003-353X(2001)06-0046-05 |
New application and development of the magnetic random access memory based on the GMR and TMR effect |
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| SUN Yi-cai,LIU Xin-fu,SONG Qing-lin. New application and development of the magnetic random access memory based on the GMR and TMR effect[J]. Semiconductor Technology, 2001, 26(6): 46-50,64 |
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| Authors: | SUN Yi-cai LIU Xin-fu SONG Qing-lin |
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| Abstract: | This paper introduces the giant (GMR) and tunneling (TMR) magnetoresistive effect. The recent application and development of the magnetic random access memory (MRAM) for computer are discussed also. |
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| Keywords: | magnetic random access memory GMR TMR |
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