| 低于1×10-6/℃的低压CMOS带隙基准电流源 |
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| 引用本文： | 张欣旺,孟海涛,杜占坤,阎跃鹏.低于1×10-6/℃的低压CMOS带隙基准电流源[J].半导体技术,2010,35(5):485-488. |
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| 作者姓名： | 张欣旺 孟海涛 杜占坤 阎跃鹏 |
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| 作者单位： | 中国科学院,微电子研究所,北京,100029;中国科学院,微电子研究所,北京,100029;中国科学院,微电子研究所,北京,100029;中国科学院,微电子研究所,北京,100029 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | 提出了一种新颖的CMOS带隙基准电流源的二阶曲率补偿技术,通过增加一个运算跨导放大器(OTA),使带隙基准参考电路的电流特性与理论分析相符合,实现低温度系数(TC)的参考电流。该电路采用SMIC0.13μm标准CMOS工艺,可在1.2 V的电源电压下工作,有效面积为0.045 mm2。仿真结果表明,在-40～85℃温度范围内参考电流的温度系数为0.5×10-6/℃;当电源电压为1.1 V时,电路依然可以正常工作,电源电压调整率为1 mV/V。
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| 关 键 词： | 带隙基准电流源 温度系数 二阶曲率补偿 电源电压调整率 |
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