| 用于共振腔光电探测器的Si基Bragg反射器 |
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| 引用本文： | 李成,杨沁清,朱家廉,王红杰,成步文,余金中,王启明,王鲁峰,彭晔. 用于共振腔光电探测器的Si基Bragg反射器[J]. 半导体学报, 2000, 21(5): 483-485 |
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| 作者姓名： | 李成 杨沁清 朱家廉 王红杰 成步文 余金中 王启明 王鲁峰 彭晔 |
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| 作者单位： | 集成光电子国家重点联合实验室中国科学院半导体研究所!北京100083，集成光电子国家重点联合实验室中国科学院半导体研究所!北京100083，集成光电子国家重点联合实验室中国科学院半导体研究所!北京100083，集成光电子国家重点联合实验室中国科学院半导体研究所!北京100083，集成光 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;69896260; |
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| 摘 要： | Si基共振腔型光电探测器的关键工艺是隐埋Bragg反射器镜面的制备.用PECVD方法在Si衬底上制备了SiOxNy/SiBragg反射器,研究了Bragg反射器的反射谱和退火行为.
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| 关 键 词： | 共振腔光电探测器 Bragg反射器 反射谱 |
| 文章编号： | 0253-4177(2000)05-0483-03 |
| 修稿时间： | 1999-02-05 |
Silicon-Based Bragg Reflector for Resonant Cavity Photodetector |
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| LI Cheng,YANG Qin|qing,ZHU Jia|lian,WANG Hong|jie,CHENG Bu|wen,YU Jin|zhong and WANG Qi|ming. Silicon-Based Bragg Reflector for Resonant Cavity Photodetector[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2000, 21(5): 483-485 |
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| Authors: | LI Cheng YANG Qin|qing ZHU Jia|lian WANG Hong|jie CHENG Bu|wen YU Jin|zhong WANG Qi|ming |
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| Abstract: | The key technology of Si|based resonant cavity photodetectors is the fabrication of buried Bragg reflector. This paper reperts a SiO- x N- y /Si Bragg reflector which is fabricated by using Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) method. The reflectance spectra and annealing behavior of SiO- x N- y /Si Bragg reflector are also studied. |
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| Keywords: | resonant cavity photodetector Bragg reflector reflectivity spectrum |
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