首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

IGBT电路实现可控电抗器参数范围分析
引用本文:方超颖,李忠民,樊新鸿,熊元新.IGBT电路实现可控电抗器参数范围分析[J].电力学报,2012,27(2):146-149.
作者姓名:方超颖  李忠民  樊新鸿  熊元新
作者单位:武汉大学电气工程学院,武汉,430072
基金项目:国家自然科学基金资助项目
摘    要:针对利用绝缘栅双极晶体(IGBT)设计的非铁磁性可控电抗器电路进行参数分析,通过调整Multisim仿真分析IGBT电路可控电抗器的参数范围,结合工程中的实际应用,讨论该设计电路能实现的电抗器的范围以及该项设计对于工程实际的意义。

关 键 词:电力电子  可控电抗器  非铁磁  IGBT电路  参数范围

Analysis of Paramenters of Controlled Reactor Realised by IGBT
FANG Chao-ying , LI Zhong-min , FAN Xin-hong , XIONG Yuan-xin.Analysis of Paramenters of Controlled Reactor Realised by IGBT[J].Journal of Electric Power,2012,27(2):146-149.
Authors:FANG Chao-ying  LI Zhong-min  FAN Xin-hong  XIONG Yuan-xin
Affiliation:(Dept.of Electrical Engineering,Wuhan University,Wuhan 430072,China)
Abstract:The paper aims at the parameter analysis of IGBT-made non-ferrous magnetic powered reactor circuit.By adjusting the Multisim simulation analysis of the circuit’s parameters,it investigates the power anti range of the designed circuit allowed and the implication of this design in real engineering field.
Keywords:power electronics  non-ferrous magnetic  controlled reactor  IGBT circuit  range of parameters
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号