| Hg1-xMnxTe晶体的垂直Bridgman法生长系统温度场分析 |
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| 引用本文： | 谷智,刘泉喜,介万奇.Hg1-xMnxTe晶体的垂直Bridgman法生长系统温度场分析[J].红外技术,2010,32(5). |
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| 作者姓名： | 谷智 刘泉喜 介万奇 |
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| 作者单位： | 1. 西北工业大学凝固技术国家重点实验室,陕西,西安,710072
2. 内蒙古科技大学工程训练中心,内蒙古,包头,014010 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 |
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| 摘 要： | 利用ANSYS有限元软件,以实际炉膛内的温度分布为边界条件,分析了包括生长中的Hg0.9Mn0.1Te晶体和晶体生长炉在内的生长系统的温度场.结果表明,晶体、熔体、高压Hg蒸气和石英的存在,使炉膛内的温度分布趋于平缓.在气液(气固)界面、液固界面、石英坩埚顶部和底部,轴向温度出现转折.随着晶体的生长,固液界面的轴向温度梯度逐渐减小.当石英坩埚完全处于高温区或低温区时,所在位置的温度分布更均匀,但远离坩埚区域的温度场受到的影响很小.
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| 关 键 词： | Hg1-xMnxTe晶体 垂直 Bridgman 法 数值模拟 温度场 |
Numerical Analysis of Thermal Field in a Vertical Bridgman Crystal Growth System of Hg1-xMnxTe |
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| GU Zhi,LIU Quan-xi,JIE Wan-qi.Numerical Analysis of Thermal Field in a Vertical Bridgman Crystal Growth System of Hg1-xMnxTe[J].Infrared Technology,2010,32(5). |
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| Authors: | GU Zhi LIU Quan-xi JIE Wan-qi |
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| Abstract: | By ANSYS finite element software,the analysis of the thermal field in a Vertical Bridgman Crystal Growth System of Hg0.9Mn0.1Te was carried out.The distribution of temperature in real crystal growth furnace was considered as boundary condition of Hg0.9Mn0.1Te crystal.The calculation results indicated that when the crucible containing Hg0.9Mn0.1Te was charged in the furnace,the temperature distribution in hearth would be homogenized because of high thermal conductance of Hg0.9Mn0.1Te crystal,melt,high pressu... |
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| Keywords: | Hg1-xMnxTe crystal vertical Bridgman growth numerical calculation thermal field |
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