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电沉积制备CuInSe2薄膜及性能研究
引用本文:周学东,赵修建,夏冬林,李建庄. 电沉积制备CuInSe2薄膜及性能研究[J]. 武汉理工大学学报, 2005, 27(7): 4-6
作者姓名:周学东  赵修建  夏冬林  李建庄
作者单位:武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室,武汉,430070
基金项目:武汉理工大学校基金(2003XJJ025).
摘    要:采用Mo/钠钙玻璃衬底为研究电极,饱和甘汞电极(SCE)为参比电极,大面积的铂网电极为辅助电极的三电极体系,以氯化铜、三氯化铟、亚硒酸的水溶液为电解液,在镀钼的钠钙玻璃衬底上利用电沉积技术制备出太阳能电池用CuInSe2薄膜。通过EDS、XRD和SEM对制备的CuInSe2薄膜进行了表征,实验结果表明利用电沉积方法可以制备出晶粒分布均匀的黄铜矿结构的CuInSe2薄膜,禁带宽度为1.14eV左右,具有高的吸收系数。

关 键 词:CuInSe2  薄膜  电沉积  太阳能电池
文章编号:1671-4431(2005)07-0004-03
修稿时间:2005-03-25

Preparation and Characterization of CuInSe2 Thin Films by Electrodeposition
ZHOU Xue-dong,ZHAO Xiu-jian,XIA Dong-lin,LI Jian-zhuang. Preparation and Characterization of CuInSe2 Thin Films by Electrodeposition[J]. Journal of Wuhan University of Technology, 2005, 27(7): 4-6
Authors:ZHOU Xue-dong  ZHAO Xiu-jian  XIA Dong-lin  LI Jian-zhuang
Abstract:
Keywords:CuInSe_2  thin films  electrodeposition  solar cells
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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