| 外腔半导体激光器宽带调谐特性 |
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| 引用本文： | 柴燕杰,张汉一,谢世钟,孙波,周炳琨.外腔半导体激光器宽带调谐特性[J].中国激光,1993,20(10):725-728. |
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| 作者姓名： | 柴燕杰 张汉一 谢世钟 孙波 周炳琨 |
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| 作者单位： | 清华大学电子工程系，清华大学电子工程系，清华大学电子工程系，清华大学电子工程系，清华大学电子工程系 北京 100084，北京 100084，北京 100084，北京 100084，北京 100084 |
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| 摘 要： | 本文分析了强反馈外腔半导体激光器的宽带频率调谐特性,得到了最大频率调谐范围公式,利用1.5μm外腔半导体激光器实现了1.45μm至1.57μm范围内的波长宽带调谐(120nm调谐范围)。
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| 关 键 词： | 可调谐激光器 半导体激光器 |
| 收稿时间： | 1992/9/7 |
Wide-band tuning property of external cavity semiconductor laser |
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| CHAI Yanjie,ZHANG Hanyi,XIE Shizhong,SUN Bo,ZHOU Bingkun.Wide-band tuning property of external cavity semiconductor laser[J].Chinese Journal of Lasers,1993,20(10):725-728. |
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| Authors: | CHAI Yanjie ZHANG Hanyi XIE Shizhong SUN Bo ZHOU Bingkun |
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| Abstract: | Wide-band wavelength tuning properties of external cavity semiconductor laser (ECL) with strong feedback configuration are analyzed in this paper. A formula of maximum tuning range is given in theory and an ECL with 120 nm tuning range (1. 45-1. 57μm) is achieved experimentally. |
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| Keywords: | tunable laser semiconductor laser |
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