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Influence of indium on the morphology of LPE grown In x Ga1−x As (x=0–0.06) epilayers on patterned GaAs(100) substrates
Authors:K. Balakrishnan  S. Iida  M. Kumagawa  Y. Hayakawa
Affiliation:(1) Research Institute of Electronics, Shizuoka University, 3-5-1 Johoku, Hamamatsu, Shizuoka, 432-8011, Japan
Abstract:
Keywords:
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