| 基于SIMOX的耐高温压力传感器芯片制作 |
| |
| 引用本文： | 王权,丁建宁,王文襄,熊斌. 基于SIMOX的耐高温压力传感器芯片制作[J]. 半导体学报, 2005, 26(8): 1595-1598 |
| |
| 作者姓名： | 王权 丁建宁 王文襄 熊斌 |
| |
| 作者单位： | 江苏大学微纳米科学技术研究中心 镇江212013(王权，丁建宁)，昆山双桥传感器测试技术有限公司 苏州215325(王文襄)，中国科学院上海微系统与信息技术研究所 上海200050(熊斌) |
| |
| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划) , 国家传感器技术科技攻关项目 |
| |
| 摘 要： | 针对石油化工等领域中高温下较高压力测量的要求，设计了压阻式压力传感器敏感芯片，采用SIMOX技术的SOI晶片，在微加工平台上通过低压化学气相淀积法(LPCVD)均相外延硅测量层、浓硼离子注入、热氧化、光刻、电感耦合等离子体（ICP）深刻蚀、多层合金化等工艺流程制作了该芯片，将其封装后，研制出了高精度稳定性佳的耐高温压阻式压力传感器．封装工艺进一步改善后，该芯片工作温区有望拓宽到300～350℃．
|
| 关 键 词： | 高温压力传感器 SIMOX 低压化学气相淀积 电感耦合等离子体深刻蚀 |
| 文章编号： | 0253-4177（2005）08-1595-04 |
| 收稿时间： | 2004-10-30 |
| 修稿时间： | 2005-01-26 |
Fabrication of a Pressure Sensor Gauge Chip Based on SIMOX |
| |
| Wang Quan,Ding Jianning,Wang Wenxiang,Xiong Bin. Fabrication of a Pressure Sensor Gauge Chip Based on SIMOX[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2005, 26(8): 1595-1598 |
| |
| Authors: | Wang Quan Ding Jianning Wang Wenxiang Xiong Bin |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | high temperature pressure sensor SIMOX LPCVD ICP |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
