| 1967～2033 nm波段硅基可调谐外腔半导体激光器设计与仿真 |
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| 引用本文： | 万浩然,杨禹霖,乔忠良,李翔,JiaXu Brian Sia,余文军,翁登群,李再金,李林,陈浩,赵志斌,薄报学,高欣,曲轶,刘重阳,汪宏,张宇,牛智川.1967～2033 nm波段硅基可调谐外腔半导体激光器设计与仿真[J].中国激光,2024(6):82-91. |
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| 作者姓名： | 万浩然 杨禹霖 乔忠良 李翔 JiaXu Brian Sia 余文军 翁登群 李再金 李林 陈浩 赵志斌 薄报学 高欣 曲轶 刘重阳 汪宏 张宇 牛智川 |
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| 作者单位： | 1. 海南师范大学物理与电子工程学院海南省激光技术与光电子功能材料重点实验室,半导体激光海南省国际联合研究中心;2. 新加坡南洋理工大学电气与电子工程学院;3. 新加坡南洋理工大学淡马锡实验室;4. 长春理工大学高功率半导体激光器国家重点实验室;5. 中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金（62274048,62174046,61964007,62064004,61864002）；;海南省自然科学基金（622RC671,120MS031,2019RC190）；;海南省高等学校科学研究项目（Hnky2020-24,Hnjg2021ZD-22,Hnjg2022ZD-18）； |
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| 摘 要： | 2μm波长附近可调谐半导体激光器在分子光谱学和光通信领域中有广阔的应用前景。基于绝缘体上硅（SOI）平台，对2μm波长附近可调谐半导体激光器的外腔部分进行了设计优化。分析了不同尺寸光波导的模式损耗特性、单个微环谐振腔受总线波导耦合间距的作用以及总线波导光反馈终端对外腔半导体激光器性能的影响。并提出了一种具有高工艺兼容度的多模环形光波导光反馈结构。所设计的可调谐半导体激光器硅基外腔可通过环形波导上的镍铬合金微加热器进行0.1 nm/K的高精度调谐，对单个微加热器施加3.2 V电压时，调谐范围可达66 nm(1967～2033 nm)。
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| 关 键 词： | 硅光集成 可调谐外腔半导体激光器 环形谐振腔 光波导终端 |
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