适用于SiC MOSFET的漏源电压积分自适应快速短路保护电路研究

Si C MOSFET因其高击穿电压、高开关速度、低导通损耗等性能优势而被广泛应用于各类电力电子变换器中。然而，由于其短路耐受时间仅为2～7μs，且随母线电压升高而缩短，快速可靠的短路保护电路已成为其推广应用的关键技术之一。为应对不同母线电压下的Si C MOSFET短路故障，文中提出一种基于漏源电压积分的自适应快速短路保护方法(drain-sourcevoltageintegration-basedadaptivefast short-circuit protection method,DSVI-AFSCPM)，研究所提出的DSVI-AFSCPM在硬开关短路(hardswitchingfault,HSF)和负载短路(fault under load,FUL)条件下的保护性能，进而研究不同母线电压对DSVI-AFSCPM的作用机理。同时，探究Si CMOSFET工作温度对其响应速度的影响。最后，搭建实验平台，对所提出的DSVI-AFSCPM在发生硬开关短路和负载短路时不同母线电压、不同工作温度下的保护性能进行实验测试。实验结果表明，所提出的DSVI-AFSCPM在不同母线电压下具有良好...