| 掺硼a-Si:H薄膜脉冲快速光热退火(PRPTA)的研究 |
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| 引用本文： | 汪昌州,杨仕娥,赵尚丽,文书堂,卢景霄.掺硼a-Si:H薄膜脉冲快速光热退火(PRPTA)的研究[J].真空,2007,44(3):28-31. |
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| 作者姓名： | 汪昌州 杨仕娥 赵尚丽 文书堂 卢景霄 |
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| 作者单位： | 郑州大学物理工程学院,教育部材料物理重点实验室,河南,郑州,450052 |
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| 摘 要： | 采用射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PECVD）法制备掺硼非晶硅（a-Si：H）薄膜,然后用脉冲快速光热退火（PRPTA）法对其进行固相晶化。研究结果表明：掺硼a-Si：H薄膜在550℃恒温条件下退火3h后,其结晶状况无明显变化;而通过加高温热脉冲可以在玻璃衬底上获得晶化较好的P型多晶硅薄膜。另外,非晶硅薄膜的掺硼浓度及脉冲条件对脉冲快速光热退火的效果有一定影响。
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| 关 键 词： | 掺硼非晶硅薄膜 脉冲快速光热退火 固相晶化 |
| 文章编号： | 1002-0322（2007）03-0028-04 |
| 修稿时间： | 2006-10-25 |
Investigation on pulsed rapid photo thermal annealing of B-doped a-Si:H films |
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| WANG Chang-zhou,YANG Shi-e,ZHAO Shang-li,WEN Shu-tang,LU Jing-xiao.Investigation on pulsed rapid photo thermal annealing of B-doped a-Si:H films[J].Vacuum,2007,44(3):28-31. |
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| Authors: | WANG Chang-zhou YANG Shi-e ZHAO Shang-li WEN Shu-tang LU Jing-xiao |
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| Affiliation: | Key Laboratory of Material Physics of Ministry of Education,Zhengzhou University, Zhengzhou 450052, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | born-doped a-Si:H films PRPTA solid-phase crystallization |
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