电接触与电接触材料(四) |
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作者姓名: | 堵永国 俞洁 张为军 |
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作者单位: | 国防科技大学,湖南长沙,410073 |
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摘 要: | 介绍了大密度电流存在时对双金属连接界面金属间化合物层迁移影响的研究方法和结论,指出双金属连接界面金属间化合物厚度的增长速度主要受温度控制,一般情况下不受电流影响。综述了铝及铝合金、铜及铜合金表面不同氧化物的电性能,探讨了绝缘及弱导电性薄膜存在下的电接触状况。简单介绍了在绝缘膜破裂处形成瞬间熔融金属桥的击穿—熔接现象。
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关 键 词: | 电迁移 电接触 氧化物薄膜 熔接 |
文章编号: | 1671-8887(2006)01-0042-05 |
收稿时间: | 2006-02-20 |
修稿时间: | 2006-02-20 |
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