| 大功率小垂直发散角980nm量子阱激光器 |
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| 引用本文： | 胡理科,祁琼,熊聪,王冠,崇锋,刘素平,马骁宇.大功率小垂直发散角980nm量子阱激光器[J].半导体光电,2010,31(5). |
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| 作者姓名： | 胡理科 祁琼 熊聪 王冠 崇锋 刘素平 马骁宇 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,光电子器件国家工程中心,北京,100083;中国科学院半导体研究所,光电子器件国家工程中心,北京,100083;中国科学院半导体研究所,光电子器件国家工程中心,北京,100083;中国科学院半导体研究所,光电子器件国家工程中心,北京,100083;中国科学院半导体研究所,光电子器件国家工程中心,北京,100083;中国科学院半导体研究所,光电子器件国家工程中心,北京,100083;中国科学院半导体研究所,光电子器件国家工程中心,北京,100083 |
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| 摘 要： | 提出了一种新型非对称宽耦合波导结构,通过理论计算优化了结构中n型波导层和限制层厚度,并采用低压金属有机化学气相沉积方法生长了设计的器件结构.测试了器件的光电特性,1200μm腔长器件的阈值电流为590 mA,斜率效率为0.96 w/A,最大输出功率达2000mW;当注入电流为0.6 A时,其远场发散角为16.1°(θ⊥)×10.2°(θ//).实验结果表明:新型非对称宽耦合波导结构能实现器件大功率输出,有效减小器件远场垂直发散角,改善器件光束质量.
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| 关 键 词： | 半导体激光器 输出功率 垂直发散角 非对称耦合波导 |
High-power 980 nm Quantum-well Laser Diode with a Small Vertical Divergence Angle |
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| HU Like,QI Qiong,XIONG Cong,WANG Guan,CHONG Feng,LIU Suping,MA Xiaoyu.High-power 980 nm Quantum-well Laser Diode with a Small Vertical Divergence Angle[J].Semiconductor Optoelectronics,2010,31(5). |
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| Authors: | HU Like QI Qiong XIONG Cong WANG Guan CHONG Feng LIU Suping MA Xiaoyu |
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| Affiliation: | HU Like,QI Qiong,XIONG Cong,WANG Guan,CHONG Feng,LIU Suping,MA Xiaoyu (National Engineering Research Center for Optoelectronic Device,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,CHN) |
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| Abstract: | A new-style asymmetric wide-coupled waveguide structure was put forward.The thickness of both N-type waveguide layer and cladding layer was optimized through theoretical calculation of this structure,and the designed semiconductor lasers were grown by low-pressure metal-organic chemical vapor deposition(MOCVD).The fabricated 980nm laser diode with 1 200 mm cavity length has a threshold current of 590mA,slope efficiency of 1.0.96W/A and maximum output power of 2 000mW.When the injection current is 0.6A,the f... |
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| Keywords: | laser diode output power vertical divergence angle asymmetric coupled waveguide |
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