| 长线阵CCD光敏区铝剥离技术 |
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| 引用本文： | 曾武贤,张振宇,廖乃镘,钟玉杰,袁安波. 长线阵CCD光敏区铝剥离技术[J]. 半导体光电, 2010, 31(6) |
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| 作者姓名： | 曾武贤 张振宇 廖乃镘 钟玉杰 袁安波 |
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| 作者单位： | 重庆光电技术研究所,重庆,400060;重庆光电技术研究所,重庆,400060;重庆光电技术研究所,重庆,400060;重庆光电技术研究所,重庆,400060;重庆光电技术研究所,重庆,400060 |
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| 摘 要： | 介绍了去除长线阵CCD光敏区中金属的两种方法,即湿法腐蚀和剥离,并比较了两者的优劣.分析了曝光和显影时间对剥离图形的影响,比较了在金属化过程中溅射和蒸发对剥离效果的影响.通过优化工艺参数,实现了长线阵CCD光敏区的铝剥离,剥离后光敏区长度为8cm,宽度平均值为6.2μm,线宽均匀性为98.5%.
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| 关 键 词： | CCD 剥离 显影 均匀性 |
Lift-off Techniques for Photo-sensitive Area of Long Linear Arrays CCD |
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| ZENG Wuxian,ZHANG Zhenyu,LIAO Naiman,ZHONG Yujie,YUAN Anbo. Lift-off Techniques for Photo-sensitive Area of Long Linear Arrays CCD[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2010, 31(6) |
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| Authors: | ZENG Wuxian ZHANG Zhenyu LIAO Naiman ZHONG Yujie YUAN Anbo |
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| Affiliation: | ZENG Wuxian,ZHANG Zhenyu,LIAO Naiman,ZHONG Yujie,YUAN Anbo(Chongqing Optoelectronics Research Institute,Chongqing 400060,CHN) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | CCD |
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