| KOH各向异性腐蚀中预处理对硅表面粗糙度的影响 |
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| 引用本文： | 夏伟锋,冯飞,王权,熊斌,戈肖鸿. KOH各向异性腐蚀中预处理对硅表面粗糙度的影响[J]. 半导体光电, 2010, 31(4) |
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| 作者姓名： | 夏伟锋 冯飞 王权 熊斌 戈肖鸿 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050;中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050;江苏大学,机械学院,江苏,镇江,212013 |
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| 基金项目： | 国家"863"计划项目，国家自然科学基金资助项目 |
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| 摘 要： | 通过实验研究表明:不同预处理方法对KOH腐蚀后硅片表面粗糙度的影响不同,分别用35℃的BOE(7:1氟化铵腐蚀液)、常温BOE、10:1 HF、50:1 HF含HF成分的腐蚀液对硅片进行预处理,再和未做预处理的硅片在同等条件下进行KOH腐蚀,实验结果发现预处理后硅片表面粗糙度比未做处理的硅片表面粗糙度增加约1 nm左右,即经过含HF成分的腐蚀液预处理后的硅片再进行KOH腐蚀,其表面粗糙度将变差.
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| 关 键 词： | KOH腐蚀 各向异性 表面粗糙度 |
Influence of Pretreatment on Silicon Surface Roughness in KOH Anisotropic Silicon Etching |
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| XIA Weifeng,FENG Fei,WANG Quan,XIONG Bin,GE Xiaohong. Influence of Pretreatment on Silicon Surface Roughness in KOH Anisotropic Silicon Etching[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2010, 31(4) |
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| Authors: | XIA Weifeng FENG Fei WANG Quan XIONG Bin GE Xiaohong |
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| Affiliation: | XIA Weifeng1,FENG Fei 1,WANG Quan1,2,XIONG Bin1,GE Xiaohong1(1.Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Chinese Academy of Sciences,Shanghai 200050,CHN,2.Mechanical Engineering School,Jiangsu University,Zhenjiang 212013,CHN) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | KOH etching anisotropic surface roughness |
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