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新结构雪崩光探测器的特性仿真及后工艺优化
引用本文:张帅,黄永清,陶彦耘,张欣,宋海兰,任晓敏,王琦,黄辉. 新结构雪崩光探测器的特性仿真及后工艺优化[J]. 半导体光电, 2010, 31(4)
作者姓名:张帅  黄永清  陶彦耘  张欣  宋海兰  任晓敏  王琦  黄辉
作者单位:北京邮电大学,信息光子学与光通信教育部重点实验室,北京,100876;北京邮电大学,信息光子学与光通信教育部重点实验室,北京,100876;北京邮电大学,信息光子学与光通信教育部重点实验室,北京,100876;北京邮电大学,信息光子学与光通信教育部重点实验室,北京,100876;北京邮电大学,信息光子学与光通信教育部重点实验室,北京,100876;北京邮电大学,信息光子学与光通信教育部重点实验室,北京,100876;北京邮电大学,信息光子学与光通信教育部重点实验室,北京,100876;北京邮电大学,信息光子学与光通信教育部重点实验室,北京,100876
基金项目:国家"863"计划项目,高等学校学科创新引智计划项目,教育部长江学者和创新团队发展计划项目
摘    要:报道了一种在倍增区引入AlxGa1-xAs带隙梯度结构的谐振腔增强型雪崩光探测器,并提出优化其后工艺制作的新方法.通过将Al0.4Ga0.6As(28 nm)一Al0.2Ga0.8As(10 nm)-GaAs(50 nm)带隙梯度结引入雪崩探测器的高场区,可以实现对探测器噪声和频率响应两个主要性能的优化.数值仿真表明,该结构探测器具有较小的噪声(有效离化系数为0.1),约33 GHz的3 dB带宽(增益为5),在增益为15时可获得420 GHz的增益带宽积.在实际的后工艺制作中,提出使用苯并环丁烯树脂进行InP/空气隙DBR反射镜与雪崩探测器结构粘合的方法,简化了工艺流程.
摘要:


关 键 词:雪崩光探测器  频率响应  过剩噪声因子  AlGaAs带隙梯度结构  苯并环丁烯

Features Simulation and Fabrication Process of New Resonant Cavity Enhanced Avalanche Photodiodes
ZHANG Shuai,HUANG Yongqing,TAO Yanyun,ZHANG Xin,SONG Hailan,REN Xiaomin,WANG Qi,HUANG Hui. Features Simulation and Fabrication Process of New Resonant Cavity Enhanced Avalanche Photodiodes[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2010, 31(4)
Authors:ZHANG Shuai  HUANG Yongqing  TAO Yanyun  ZHANG Xin  SONG Hailan  REN Xiaomin  WANG Qi  HUANG Hui
Affiliation:ZHANG Shuai,HUANG Yongqing,TAO Yanyun,ZHANG Xin,SONG Hailan,REN Xiaomin,WANG Qi,HUANG Hui(Key Laboratory of Information Photonics and Optical Communications of Ministry of Education,Beijing University of Posts and Telecommunications,Beijing 100876,CHN)
Abstract:
Keywords:avalanche photodiode  frequency response  excess noise factor  AlGaAs bandgap graded structure  BCB  
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
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