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| 新纳米晶体管展现强量子限制效应 | |
| 引用本文： | 郑冬冬.新纳米晶体管展现强量子限制效应[J].半导体信息,2011(2). |
| 作者姓名： | 郑冬冬 |
| 摘 要： | 美国得克萨斯大学的一个研究小组用非常细的纳米线制造出一种晶体管,表现出明显的量子限制效应,纳米线的直径越小,电流越强。该技术有望在生物感测、集成电路缩微制造方面发挥重要作用。相关研究发表在最近出版的《纳米快报》上。实验中,他们用平版印刷技术制造了一种直径仅有3纳米到5纳米的硅纳米 |
| 关 键 词： | 硅纳米线 子迁移率 量子限制效应 集成电路 纳米晶体管 得克萨斯 |
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