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| 瑞萨将上市SiC功率半导体 2011年10月开始量产二极管 | |
| 引用本文： | 郑冬冬.瑞萨将上市SiC功率半导体 2011年10月开始量产二极管[J].半导体信息,2011(2). |
| 作者姓名： | 郑冬冬 |
| 摘 要： | 瑞萨电子计划上市SiC(碳化硅)功率半导体。耐压600 V的SiC肖特基势垒二极管(SiC-SBD)RJS6005TDPP将从2011年3月底开始样品供货。除了空调等白色家电外,预计还可用于通信基站和服务器等配备的PFC(功率因数校正) |
| 关 键 词： | 电子模拟 功率半导体 肖特基势垒二极管 工作效率 上市 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |