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硫化退火温度对金属三靶顺序溅射CZTS薄膜性能的影响
引用本文:刘仪柯,唐雅琴,张坤,蒋良兴,刘芳洋,赖延清. 硫化退火温度对金属三靶顺序溅射CZTS薄膜性能的影响[J]. 有色金属(冶炼部分), 2018, 0(1): 69-72
作者姓名:刘仪柯  唐雅琴  张坤  蒋良兴  刘芳洋  赖延清
作者单位:贵州理工学院材料与冶金工程学院,贵州理工学院材料与冶金工程学院,中南大学冶金与环境学院,中南大学冶金与环境学院,中南大学冶金与环境学院,中南大学冶金与环境学院
基金项目:国家自然科学基金资助项目(51674298,51272292,51604088);贵州省科技合作计划项目(黔科合LH字[2015]7091);贵州省科技计划项目(黔科合LH字[2017]1064)
摘    要:通过XRD及Raman物相分析、SEM形貌观察和EDS成分分析等方法研究了硫化退火温度对金属三靶顺序溅射铜锌锡硫(CZTS)薄膜性能的影响。结果表明,在一定温度范围内(500~580℃),随着温度的升高薄膜的结晶性能有变好的趋势,形貌也得到了改善。当温度达到600℃时,CZTS薄膜会发生分解反应,该分解反应不但导致薄膜结晶性能及形貌恶化,也造成了锡元素的损失。580℃条件下获得的薄膜各项性能俱佳,是最适合本实验体系的退火温度。

关 键 词:硫化退火  退火温度  铜锌锡硫薄膜  结晶性能
收稿时间:2017-08-17
修稿时间:2017-08-26

Effect of Annealing Temperature on Performance of CZTS Thin Films Prepared via Metal Targets Sequential Sputtering Followed by Sulfuration Technology
liu yike,tang yaqin,zhang kun,jiang liangxing,liu fangyang and lai yanqing. Effect of Annealing Temperature on Performance of CZTS Thin Films Prepared via Metal Targets Sequential Sputtering Followed by Sulfuration Technology[J]. Nonferrous Metals(Extractive Metallurgy), 2018, 0(1): 69-72
Authors:liu yike  tang yaqin  zhang kun  jiang liangxing  liu fangyang  lai yanqing
Affiliation:Guizhou Institute of Technology,,,,,
Abstract:
Keywords:sulfide annealing   annealing temperature   CZTS film   crystallization property
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