| 基于NiFe薄膜AMR效应磁阻开关芯片的研究 |
| |
| 引用本文： | 余涛,吴婷,杨华,陈忠志,彭斌.基于NiFe薄膜AMR效应磁阻开关芯片的研究[J].传感器世界,2015,21(5):7-11. |
| |
| 作者姓名： | 余涛 吴婷 杨华 陈忠志 彭斌 |
| |
| 作者单位： | 1. 电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川成都,610054;2. 贵州雅光电子科技股份有限公司,贵州贵阳,550007;3. 成都芯进电子有限公司,四川成都,610036 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 |
| |
| 摘 要： | 利用磁控溅射设备在含有电路的6in.晶元上沉积惠斯通电桥形状的NiFe薄膜,对薄膜进行磁场退火处理,然后对薄膜进行后续的加工和封装,成功制备出磁阻开关芯片,经过测试获得芯片的相关电磁参数,发现其开关性能优异,温度稳定性好,静态功耗低,已经达到国外同类产品的性能.
|
| 关 键 词： | NiFe 磁阻开关芯片 静态功耗 |
Research of magnetoresistance switching chips based on the AMR effect of NiFe thin films |
| |
| YU Tao,WU Ting,YANG Hua,CHEN Zhong-zhi,PENG Bin.Research of magnetoresistance switching chips based on the AMR effect of NiFe thin films[J].Sensor World,2015,21(5):7-11. |
| |
| Authors: | YU Tao WU Ting YANG Hua CHEN Zhong-zhi PENG Bin |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
|
