水平三温区法制备低位错和无位错掺Si—GaAs单晶 |
| |
引用本文: | 尹庆民.水平三温区法制备低位错和无位错掺Si—GaAs单晶[J].稀有金属,1981(2). |
| |
作者姓名: | 尹庆民 |
| |
作者单位: | 冶金工业部有色金属研究总院402室水平砷化镓单晶组 |
| |
摘 要: | 本文叙述了水平三温区法制备低位错和无位错掺Si—GaAs单晶的工艺,介绍了三温区炉的结构,论述了掺Si—GaAs晶体与石英舟的沾润和单晶生长的有关问题。试验结果表明水平三温区炉工艺稳定,具有重现性。在本工艺的条件下,单晶生长率可达70%以上。(100)面生长,获得8厘米~2低位错单晶,位错密度小于2000厘米~2;(100) 面为5厘米~2无位错单晶,位错密度小于500厘米~(-2),在尾段有零位错样品。
|
本文献已被 CNKI 等数据库收录! |
|