| LP-MOCVD生长InGaAlP双异质结中In组分控制的研究 |
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| 引用本文： | 文尚胜,范广涵,廖常俊,刘颂豪.LP-MOCVD生长InGaAlP双异质结中In组分控制的研究[J].半导体光电,2000,21(5). |
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| 作者姓名： | 文尚胜 范广涵 廖常俊 刘颂豪 |
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| 作者单位： | 1. 华南理工大学,应用物理系,广东,广州,510641;华南师范大学,MOCVD实验室,广东,广州,510631
2. 华南师范大学,MOCVD实验室,广东,广州,510631 |
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| 摘 要： | 根据已经发表的有关文献实验数据 ,针对InGaAlP发光材料的LP -MOCVD生长 ,给出了描述In组分偏离的经验表达式 ,可应用于InGaAlP双异质结生长中In组分的控制
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| 关 键 词： | LP-MOCVD InGaAlP 双异质结 In组分偏离 |
Control of In Content for InGaAlP Double Heterojunction Grown by LP-MOCVD |
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| WEN Shang-sheng,FAN Guang-han,LIAO Chang-jun,LIU Shong-hao.Control of In Content for InGaAlP Double Heterojunction Grown by LP-MOCVD[J].Semiconductor Optoelectronics,2000,21(5). |
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| Authors: | WEN Shang-sheng FAN Guang-han LIAO Chang-jun LIU Shong-hao |
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| Affiliation: | WEN Shang-sheng 1,2,FAN Guang-han2,LIAO Chang-jun2,LIU Shong-hao 2 |
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| Abstract: | Based on the experimental data in references, the mathemat ical expression of In content shift for InGlP material grown by LP-MOCVD is pr estnted. It may be used to control the In content of InGlP DH grown by LP-MOC VD. |
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| Keywords: | LP-MOCVD InGlP double heterojunction In content shift |
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