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| NTDCZSi的辐照缺陷退火研究 | |
| 作者姓名： | 张维连 徐岳生 |
| 作者单位： | 河北工学院，河北工学院 天津 300130，天津 300130 |
| 摘 要： | 采用四探针法测电阻率、正电子湮灭法和DLTS法测缺陷和缺陷能级变化,研究了NTDCZ Si在350～1200℃等温退火时辐照缺陷的变化,确定了用于制造LSI、压敏器件等的NTDCZ Si消除辐照损伤的退火条件,并对实验现象进行了简要的讨论。 |
| 关 键 词： | 中子嬗变掺杂 硅单晶 缺陷 退火 |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |
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