背景气压对激光蒸发金属靶产生的快电子的影响 |
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引用本文: | 何玮,吴自遐,崔俊文,胡企铨,林福成.背景气压对激光蒸发金属靶产生的快电子的影响[J].中国激光,1987,14(4):237-240. |
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作者姓名: | 何玮 吴自遐 崔俊文 胡企铨 林福成 |
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作者单位: | 武汉工业大学
(何玮,吴自遐),中国科学院上海光机所
(崔俊文,胡企铨),中国科学院上海光机所(林福成) |
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摘 要: | 我们对调Q激光(5×10~8W/cm~2)蒸发金属靶产生的快电子进行了实验研究。观察了背景气压对快电子信号的影响。本文对观察到的现象进行了讨论并提出产生的原因。
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收稿时间: | 1985/11/6 |
Effect of background pressure on fast electrons produced from metal target vaporized by laser |
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Abstract: | Study was made for the effects of background pressure on the fast electrons produced from metal target evaporization by Q-switched laser light(5x108W/cm2). In this paper, the phenomena observed in the experiment are discussed and explained. |
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Keywords: | |
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