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PCS先驱体转化法制备SiC涂层的浸渍工艺
引用本文:付志强,唐春和,梁彤祥.PCS先驱体转化法制备SiC涂层的浸渍工艺[J].材料工程,2003(3):28-30.
作者姓名:付志强  唐春和  梁彤祥
作者单位:清华大学核能技术设计研究院,北京,100084
摘    要:在聚碳硅烷(PCS)先驱体转化法制备SiC涂层的浸渍工艺参数中,浸渍溶液的PCS浓度对涂层形貌影响最大,而其他参数的影响很小。当PCS的浓度不大于30%时均可以获得均匀、致密的SiC涂层。随着PCS浓度的增大,涂层厚度增加;单次浸渍可获得的SiC涂层最大厚度为1-2μm。

关 键 词:SiC涂层  聚碳硅烷  浸渍
文章编号:1001-4381(2003)03-0028-03
修稿时间:2002年4月22日

Impregnation Process of Fabricating SiC Coating from PCS Precursor
FU Zhi qiang,TANG Chun he,LIANG Tong xiang.Impregnation Process of Fabricating SiC Coating from PCS Precursor[J].Journal of Materials Engineering,2003(3):28-30.
Authors:FU Zhi qiang  TANG Chun he  LIANG Tong xiang
Abstract:
Keywords:SiC coating  polycarbosilane  impregnation
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