| MOCVD生长碳掺杂GaAs/AlGaAs大功率半导体激光器 |
| |
| 引用本文： | 廉鹏 邹德恕. MOCVD生长碳掺杂GaAs/AlGaAs大功率半导体激光器[J]. 光电子．激光, 2000, 11(1): 4-6 |
| |
| 作者姓名： | 廉鹏 邹德恕 |
| |
| 作者单位： | 1. 北京工业大学电子工程学系和北京光电子技术实验室,北京,100022
2. 中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心,北京,100083 |
| |
| 基金项目： | 国家“八六三”计划资助项目，国家自然科学基金资助项目 !( 698860 1)，北京市自然科学基金资助项目 ( 4 982 0 0 7) |
| |
| 摘 要： | 利用低压金属有机金属化合物气相沉积方法，以液态ＣＣｌ，为掺杂源生长了高质量Ｃ掺杂ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ材料，并对生长机理、材料特性以及Ｃ掺杂对大功率半导体激光器的影响进行了分析。在材料研究的基础上生长了以Ｃ为Ｐ型掺杂剂的ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ应变量子阱半导体激光器结构，置备了高性能９８０ｎｍ大功率半导体激光器。
|
| 关 键 词： | 掺碳 砷化镓 MoCVD 半导体激光器 气相外延 |
| 修稿时间： | 1999-10-05 |
MOCVD Growth of Carbon Doped GaAs/AlGaAs High Power Semiconductor Lasers |
| |
| LIAN Peng,ZOU De-shu,GAO Guo,YIN Tao,CHEN Chang-hua,XU Zun-tu,SHEN Guang-di,MA Xiao-yu,CHEN Liang-hui. MOCVD Growth of Carbon Doped GaAs/AlGaAs High Power Semiconductor Lasers[J]. Journal of Optoelectronics·laser, 2000, 11(1): 4-6 |
| |
| Authors: | LIAN Peng ZOU De-shu GAO Guo YIN Tao CHEN Chang-hua XU Zun-tu SHEN Guang-di MA Xiao-yu CHEN Liang-hui |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《光电子．激光》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《光电子．激光》下载全文 |
