| 高水平抗辐射CMOS/SOS集成电路 |
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| 引用本文： | 刘忠立,和致经,茅冬生. 高水平抗辐射CMOS/SOS集成电路[J]. 微电子学, 1988, 0(6) |
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| 作者姓名： | 刘忠立 和致经 茅冬生 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所(刘忠立，和致经)，中国科学院半导体研究所(茅冬生) |
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| 摘 要： | 本工作采用先进的全离子注入低温工艺,研制成八个高水平4000系列小规模CMOS/SOS集成电路品种,它们是SC_(4001)、SC_(4002)、SC_(4011)、SC_(4012)、SC_(4013)、SC_(4030)、SC_(4066)及SC_(4069)。这些电路除了电学参数满足相应体硅CMOS电路以外,还具有优良的抗辐照特性,其抗γ总剂量达1×10~7rad(Si),抗γ瞬态剂量率达5×10~(10)rad(Si)/s以上。 本文简要介绍CMOS/SOS器件抗γ总剂量辐照及抗γ瞬态辐照的基本考虑以及辐照实验的结果。
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| 关 键 词： | CMOS/SOS电路 总剂量辐射 瞬态辐射 辐射加固 |
High Performance Radiation Hardened CMOS/SOS Integrated Circuits |
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| Liu Zhongli,He Zhiling and Mao Dongsheng. High Performance Radiation Hardened CMOS/SOS Integrated Circuits[J]. Microelectronics, 1988, 0(6) |
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| Authors: | Liu Zhongli He Zhiling Mao Dongsheng |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | CMOS/SOS circuit Total dose radiation Transient dose rate radiation Radiation hardness |
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