| S波段GaN MMIC功率放大器的设计 |
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| 引用本文： | 刘世中,桑磊. S波段GaN MMIC功率放大器的设计[J]. 微电子学, 2018, 48(6): 748-752 |
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| 作者姓名： | 刘世中 桑磊 |
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| 作者单位： | 合肥工业大学 光电技术研究院, 合肥 230009,合肥工业大学 光电技术研究院, 合肥 230009 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(61401143) |
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| 摘 要： | 针对宽带单片微波集成电路(MMIC)功率放大器在匹配过程中存在电路枝节复杂、优化周期较长的问题,采用了低Q值多节LC匹配网络的方法,并结合阻抗在Smith圆图上的变化趋势,能快速确定输出级阻抗匹配网络的结构。基于0.25 μm GaN HEMT工艺,设计了一种S波段 MMIC功率放大器。采用多节LC电抗匹配单元,快速准确地设计了匹配电路,简化了电路设计流程。仿真结果表明,在2~4 GHz工作频率范围内,输出功率大于38 dBm,功率附加效率为29%~48.8%,功率增益为19.0~20.4 dB,S11小于-7.7 dB,S22小于-9.2 dB。芯片尺寸为3 mm×1.7 mm。该功率放大器具有较高的实用价值。
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| 关 键 词： | 宽带 低Q值 功率放大器 阻抗匹配 |
| 收稿时间： | 2018-01-16 |
Design of a S Band GaN MMIC Power Amplifier |
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| LIU Shizhong and SANG Lei. Design of a S Band GaN MMIC Power Amplifier[J]. Microelectronics, 2018, 48(6): 748-752 |
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| Authors: | LIU Shizhong and SANG Lei |
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| Affiliation: | Institute of Opto-Electronic Technology, Hefei University of Technology, Hefei 230009, P. R. China and Institute of Opto-Electronic Technology, Hefei University of Technology, Hefei 230009, P. R. China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | |
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