| 一种亚阈值MOS管低功耗基准电压源 |
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| 引用本文： | 侯德权,周莉,陈敏,肖璟博,刘云超,陈杰. 一种亚阈值MOS管低功耗基准电压源[J]. 微电子学, 2018, 48(5): 574-578 |
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| 作者姓名： | 侯德权 周莉 陈敏 肖璟博 刘云超 陈杰 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所, 北京 100029;中国科学院大学, 北京 100049,中国科学院微电子研究所, 北京 100029,中国科学院微电子研究所, 北京 100029,中国科学院微电子研究所, 北京 100029;中国科学院大学, 北京 100049,中国科学院微电子研究所, 北京 100029;中国科学院大学, 北京 100049,中国科学院微电子研究所, 北京 100029 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(61434004);国家重大仪器设备专项资助项目(2013YQ31079903) |
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| 摘 要： | 设计了一种基于亚阈值区MOS管的低功耗基准电压源。利用MOS管差分对的栅源电压差对MOS管的栅源电压进行温度补偿,从而得到基准输出电压。采用0.18 μm 混合信号CMOS工艺进行设计与仿真。结果表明,该基准电压源的最小工作电压为1.25 V,在0 ℃~80 ℃温度范围内的温度系数为6.096×10-5/℃。
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| 关 键 词： | 基准电压源 亚阈值区 低功耗 模拟集成电路 |
| 收稿时间： | 2017-12-07 |
A Low Power Voltage Reference Based on Sub-Threshold MOSFET |
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| HOU Dequan,ZHOU Li,CHEN Min,XIAO Jingbo,LIU Yunchao and CHEN Jie. A Low Power Voltage Reference Based on Sub-Threshold MOSFET[J]. Microelectronics, 2018, 48(5): 574-578 |
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| Authors: | HOU Dequan ZHOU Li CHEN Min XIAO Jingbo LIU Yunchao CHEN Jie |
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| Affiliation: | Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, P.R.China;University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, P.R.China,Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, P.R.China,Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, P.R.China,Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, P.R.China;University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, P.R.China,Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, P.R.China;University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, P.R.China and Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, P.R.China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | voltage reference sub-threshold low power analog IC |
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